電力電子器件又稱作開關(guān)器件,相當于信號電路中的A-D采樣,稱之為功率采樣,器件的工作過程就是能量過渡過程,其可靠性決定了裝置和系統(tǒng)的可靠性。根據(jù)可控程度以及構(gòu)造特點等因素可以把電力電子器件分成四類:
(1)半控型器件——*代電力電子器件
2O世紀5O年代,由美國通用電氣公司發(fā)明的硅晶閘管的問世,標志著電力電子技術(shù)的開端。到了2O世紀7O年代,已經(jīng)派生出了許多半控型器件,這些電力電子器件的功率也越來越大,性能日漸完善,但是由于晶閘管的固有特性,大大限制了它的應(yīng)用范圍。
(2)全控型器件一一第二代電力電子器件
從2O世紀7O年代后期開始,可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR或BJT)及其模塊相繼實用化。此后,各種高頻率的全控型器件不斷問世,并得到迅速發(fā)展。這些器件主要有:電力場控晶體管(即功率MOSFET)、靜電感應(yīng)晶體管(SIT)、靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)等,這些器件的產(chǎn)生和發(fā)展,已經(jīng)形成了一個新型的全控電力電子器件的大家族。
(3)復合型器件——第三代電力電子器件
前兩代電力電子器件中各種器件都有其本身的特點。近年來,又出現(xiàn)了兼有幾種器件優(yōu)點的復合器件。如:絕緣門雙晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它實際上是MOSFET驅(qū)動雙型晶體管,兼有M0sFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩者的優(yōu)點。它容量較大、開關(guān)速度快、易驅(qū)動,成為一種理想的電力電子器件。
(4)模塊化器件——第四代電力電子器件
隨著工藝水平的不斷提高,可以將許多零散拼裝的器件組合在一起并且大規(guī)模生產(chǎn),進而導致第四代電力電子器件的誕生。以功率集成電路PIC(Power Intergrated Circuit)為代表,其不僅把主電路的器件,而且把驅(qū)動電路以及具有過壓過流保護,甚至溫度自動控制等作用的電路都集成在一起,形成一個整體。